本,

によって

4.2 5つ星のうち 1 人の読者

ファイルサイズ : 26.97 MB

内容紹介 ワイドギャップ半導体の研究現在使用されている最先端のパワー・デバイスはSi(シリコン)という半導体材料がもつ性能を、ほぼ限界まで引き出しており、Siの物性の限界から大幅な発展は困難な状況です。そんななかで、近年、大きな注目を集めているのが、ワイド・バンド・ギャップ半導体デバイス(ワイドギャップ半導体)。ワイドギャップ半導体は、Siに比べてパワー・エレクトロニクス応用の観点で素晴らしい物性を有しており、大きなポテンシャルを秘めています。ワイドギャップ半導体を使えば、Siでは到底実現不可能な、低損失、高速スイッチング、高温動作が可能になります。半導体デバイスの動作原理について説明し、なぜワイドギャップ半導体によって優れたパワー・デバイスが実現できるかを説明。なかでも研究が進んでおり、非常に有望な材料である、炭化硅素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)について、それぞれの材料の特徴、基礎研究の進展具合、具体的なデバイスの開発状況について紹介。

ファイル名 : グリーン-エレクトロニクス-no-9-2012年-08月号-雑誌.pdf

以下は、グリーン・エレクトロニクス No.9 2012年 08月号 [雑誌]に関する最も有用なレビューの一部です。 この本を購入する/読むことを決定する前にこれを検討することができます。